硅碳负材料制备工艺碳包覆工艺设备

不仅硅包覆碳能够提高材料的电化学性能，反之碳包覆硅同样能够提高材料的容量。碳包覆硅的方法主要有水热法、CVD以及在硅颗粒上涂覆各种碳前驱体等。黄等[19]通过在硅板用金属催化刻蚀制备出硅纳米线整列，然后通过碳气凝胶和热解，将碳包覆在硅纳米线表面。该混合纳米复合材料**放电容量高达3344mAh/g，40周循环后可逆容量为1326mAh/g，硅碳材料之间良好的电子接触和传导性以及碳材料对硅材料体积膨胀的有效抑制，使得该材料的电化学性能优良。
鸿峰窑炉设备有限公司研制的HF-RL60.700型硅碳负电材料设备，是碳包覆工艺的佳设备。

产品名称：硅碳负材料高温碳包覆回转炉
产品用途：硅碳复合负材料气相沉积碳包覆
设备进料量：10Kg/h 50Kg/h
设备进料方式：螺杆进料
设备炉胆材质：310S
设备炉胆总长：6000mm
设备加热有效区长度：4500mm
设备测试温度：950度
设备倾斜角：0.-0.5
设备炉胆转速：0.5-2.5r/min
高温有效停留时间：120分钟。
物料在炉胆装填量占炉管总体积：15%
物料堆积大高度：6.3厘米
实验设备炉内氧含量：0.1ppm

氮气流量：0.4m3/小时
设备用氮气：99.999%高纯氮
氧含量分析仪：江苏能仪。
氮气流量计：玻璃转子流量计。
乙炔流量计：玻璃转子流量计。